Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.11: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Stressreduktion in CVD-plasmaabgeschiedenen Fluorkohlenwasserstoffschichten durch Variation des Fluorgehalts — •E. Mergenthaler^1,2, R. Leuschner², K. Kragler² und R. Helbig¹ — ¹Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Institut für Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen — ²Infineon Technologies AG, CPR PT, Paul-Gossen-Str. 100, 91052 Erlangen

Die Kontrolle der mechanischen Durchbiegung von Wafern durch den intrinsischen Stress dünner Plasmaschichten ist eine entscheidende Voraussetzung für den Einsatz dieser Materialien auf Wafern mit zunehmenden Durchmessern. Ebenso erfordert eine geeignete Kompatibilität von Layern in Multischichtsystemen geringe Stresswerte. Es wurde der Einfluss von Fluor auf den Stress in CVD-abgeschiedenen ECR-Plasmaschichten untersucht. Der kompressive Stress konnte durch die Erhöhung des Fluorgehalts auf Werte unter der Nachweisgrenze verringert werden. Die Fluorgehalte wurden über die Variation der Partialdrücke des Precursorgasgemisches Octafluorcyclobutan und Ethen im Rezipienten eingestellt und mittels EDX-Messungen bestimmt. Dabei weisen die Depositionsraten in Abhängigkeit vom Fluoranteil ein Maximum auf. Es werden weiterhin Ergebnisse aus dielektrischen Messungen vorgestellt, die die Verringerung der Permittivität bei zunehmendem F-C-Verhältnis zeigen.