Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.25: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Diamantnukleation auf Iridium-Pufferschichten — •F. Hörmann, A. Schury, H. Roll, M. Schreck und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, D-86135 Augsburg

Aufgrund ihrer geringen Mosaizität stellt die heteroepitaktische Abscheidung von Diamantschichten auf Iridium-Pufferschichten zur Zeit den vielversprechendsten Ansatz für die Realisierung von einkristallinem Diamant auf größeren Flächen dar. Untersuchungen zur Keimbildung und den Anfangsstadien des Wachstums von Diamant auf den Edelmetalloberflächen werden in diesem Beitrag vorgestellt. Die Iridiumschichten wurden auf (001)-orientiertem SrTiO₃ abgeschieden. Die gleichspannungsunterstützte Bekeimung erfolgte im Mikrowellenplasma bei Temperaturen von 700⁰ − 920⁰C, einer Mikrowellenleistung von 1100 W und einem Druck von 30 mbar .

Veränderungen der Oberfläche der Ir-Pufferschicht während des Nukleationsprozesses sowie die Keimbildung von Diamant wurden mittels Rasterelektronen- und Rastertunnelmikroskopie studiert. Nach dem Nukleationsprozeß beobachtet man eine Aufrauhung mit charakteristischen Strukturen entlang [110], [110] und [100], [010] auf der Ir-(001)-Oberfläche. Dabei erweisen sich im Plasma bei erhöhten Substrattemperaturen von ca. 920⁰C die Ir-{111}-Facetten als wesentlich stabiler als die {001}-Facetten. Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahmen zeigen die Anfangsstadien des Diamantwachstums auf den Iridiumoberflächen.