Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.31: Poster
Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B
Struktur und Komposition mittels MOCVD hergestellter Metall/Silizium Multischichtsysteme — •Andreas Aschentrup1, Frank Hamelmann1, Gabriele Haindl1, Michael Sundermann1, Ulf Kleineberg1, Peter Jutzi2 und Ulrich Heinzmann1 — 1Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld — 2Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld
Mo/Si und W/Si Multilayer mit Periodendicken von ca. 8 nm wurden mit plasmaunterstützter metallorganischer Gasphasenabscheidung (PE–MOCVD) in einem Niederdruck–Reaktor deponiert. Die Multischichtsysteme werden ex situ hinsichtlich ihrer Struktur (Grenzflächenrauhigkeit, Interdiffusion, Nanokristallinität, Defektwachstum) sowie ihrer chemischen Komposition untersucht. Dafür kommen Reflektivitätsmessungen mit harter (λ = 0,154 nm) und weicher (λ = 13 nm) Röntgenstrahlung, Röntgenbeugung, hochauflösende Querschnitts–Transmissionselektronenmikroskopie (XTEM) und Sputter–Augerelektronenspektroskopie zum Einsatz.
Für den Einsatz solcher Multischichtsysteme als EUV–Spiegel wird insbesondere die Optimierung der Grenzflächenrauhigkeit sowie die Minimierung von Schichtkontaminationen (vor allem Sauerstoff und Kohlenstoff) angestrebt.