Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 38: Postersitzung
DS 38.32: Poster
Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B
Herstellung und Charakterisierung von schmalbandigen EUV–Multischichtspiegeln für Anwendungen mit fs–HHG Strahlung — •Y.C. Lim, T. Westerwalbesloh, A. Aschentrup, O. Wehmeyer, G. Haindl, U. Kleineberg und U. Heinzmann — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstr. 25, D–33615 Bielefeld
Schmalbandige EUV–Multischichtspiegel wurden mittels Elektronenstrahlverdampfung im UHV unter Variation des Verhältnisses Γ zwischen Absorber– und Doppelschichtdicke hergestellt. Diese Multischichten wurden entwickelt für die spektrale Selektion einzelner hoher Harmonischer einer fs–EUV–Quelle mit Photonenenergien von 65–70 eV. Hierfür ist eine energische Bandbreite von Δ EFWHM ≤ 3 eV erforderlich.
Der Aufdampfprozess wird kontroliert durch In-situ-Röntgenreflektometrie, die die Variation einzelner Schichtdicken zwischen 1,9 nm und 23 nm durch Verwendung unterschiedlicher Röntgenlinien und Variation des Einfallswinkels ermöglicht. So konnten Mo/Si Multischichten mit 30 Doppelschichten und einem Γ = 0,17 (d.h. 1,7 nm Mo und 8,3 nm Si Schichtdicke) kontrolliert hergestellt werden. Die Grenzflächenrauhigkeiten wurden durch Ionenpolieren und Substratheizen auf σ ≤ 0,5 nm r.m.s. verringert.
Die Eigenschaften der Multischichten wurden charakterisiert durch Reflektometrie mit harter und weicher Röntgenstrahlung und TEM–Querschnittsaufnahmen.