Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.34: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Mikrowellenplasmaoxidation von dünnen Aluminium-Schichten — •Antje Quade und Harm Wulff — Institut f. Chemie, Soldtmannstr. 23, 17489 Greifwald

Der Einfluß von Mikrowellenplasmen auf die Oxidbildung von Al-Schichten wurde untersucht. Änderungen im Gasfluß, der Gaszusammensetzung, der Plasmaleistung und der Substrattemperatur beeinflussen das Schichtwachstum und die Schichteigenschaften der Oxidfilme. Die Schichten wurden durch GIXR, GIXRD, XPS, IR und AFM untersucht. Es wird gezeigt, daß die Plasmabehandlungen schon bei Temperaturen von 300 ^∘C zur Oxidbildung führen. Das Schichtwachstum wird durch die zugeführte Mikrowellenleistung und die Sauerstoffkonzentration beeinflußt. Unterschiedliche Mikrowellenleistungen beeinflussen zusätzlich die Morphologie der Filme.

Um Aussagen zum Kristallisationsverhalten der amorph gebildeten Oxidfilme zu erhalten, wurden die Filme mittels In-situ-Hochtemperatur-Röntgendiffraktometrie untersucht.