Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.40: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Einfluesse von Dotierungen auf die Valenzbandstruktur von VO₂ — •W. Niessner, W. Burkhardt, T. Christmann, B.K. Meyer, A. Polity, A. Scharmann und M. Theis — I.Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet Giessen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen

Die Phasenuebergangstemperatur des Halbleiter-Metall- Uebergangs von Vanadiumdioxid (VO₂) kann durch verschiedene Dotierstoffe, wie z.B. Wolfram, Fluor oder Niob, effektiv abgesenkt werden. Aber auch die Materialeigenschaften der halbleitenden oder der metallischen Phase werden durch die Dotierung veraendert. In dieser Arbeit werden die Veraenderungen der Valenzbandstruktur durch die Dotierung mittels UPS- und EELS-Messungen untersucht. Die Ergebnisse liefern Erklaerungen für die beobachteten optischen Eigenschaften der VO₂- Schichten. Die Arbeit umfasst Experimente zu verschiedenen Dotierstoffen und Konzentrationen und an kodotierten Proben. Die Auswirkungen der Dotierung mit Fluor auf die optischen Eigenschaften kann durch zusaetzliches Dotieren mit Wolfram veraendert werden.