Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 38: Postersitzung

DS 38.9: Poster

Dienstag, 28. März 2000, 09:30–17:30, Poster B

Gepulste Magnetron-Sputterdeposition von Silizium-Dünnschichten — •P. Reinig, F. Fenske, B. Selle und W. Fuhs — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Abt. Photovoltaik, Kekulestr.5, 12489 Berlin

Mittels gepulster DC-Magnetron-Sputterdeposition werden Silizium-Dünnschichten abgeschieden. Die Puls-DC Anregung ist aufgrund hoher Plasmadichten, hoher Depositionsraten und der Möglichkeit des up-scalings besonders geeignet für Niedertemperatur-Depositionen auf Glassubstraten.
Die Dichte der Schichten wurde aus absoluter Dickenmessung (Profilometer) und Rutherford-Rückstreu-(RBS)-Analyse bestimmt. Die Dichte beträgt mehr als 98 % der c-Si-bulk-Dichte. Bei gepulster Deposition (200 nm/min) zeigen amorphe Schichten im Vergleich zur DC-Deposition eine Zunahme der Dichte. Diese Ergebnisse werden mit dem Brechungsindex (FTIR-Spektroskopie) korreliert.
Die Fremdatomkonzentration wurde mittels Elastischer Rückstreuanalyse (ERDA), RBS und SIMS bestimmt. Typische Konzentrationen von Ar liegen im Bereich 10¹⁹ cm⁻³ - 5 * 10²⁰ cm⁻³. Die Verteilung von Wasserstoff in den Schichten wird mit einer Kernreaktions-Methode (¹⁵ N-Methode) analysiert.