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          10:30 | 
          HL 4.1 | 
          
            
            
              
                Electronic states and band alignment in GaInNAs/GaAs quantum well structures — •M. Hetterich, M.D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert
              
            
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          10:45 | 
          HL 4.2 | 
          
            
            
              
                Hochsensibler monolitisch integrierter Wellenlängendetektor — •M. Müller, T. Kippenberg, J. Spieler, P. Kiesel, S. Malzer, T. Krieger und G.H. Döhler
              
            
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          11:00 | 
          HL 4.3 | 
          
            
            
              
                Die Rolle der Elektron-Phonon-Kopplung bei der Temperaturabhängigkeit elektronischer Zustände einer InAs Monolagenstruktur — •H. Scheel, A.R. Goñi, A. Cantarero, S. Reich, C. Thomsen und P.V. Santos
              
            
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          11:15 | 
          HL 4.4 | 
          
            
            
              
                Lokalisierung an einem stufenformigen Potentialprofil — •A.V. Kolesnikov
              
            
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          11:30 | 
          HL 4.5 | 
          
            
            
              
                Kollektive elektronische Anregungen des 2DEGs im Bereich der Reststrahlenbande — •E. Ulrichs, L. Karsten, C. Schüller, Ch. Heyn und D. Heitmann
              
            
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          11:45 | 
          HL 4.6 | 
          
            
            
              
                Phononresonanz im Response eines Halbleiter-Übergitter-Detektors für THz-Strahlung — •F. Klappenberger, S. Winnerl, E. Schomburg, K.F. Renk, A. A. Ignatov, W. Wegscheider und A.F.G. van der Meer
              
            
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          12:00 | 
          HL 4.7 | 
          
            
            
              
                Halbleiter-Übergitter-Oszillator bei 150 GHz — •R. Scheuerer, E. Schomburg, S. Brandl, K.F. Renk, D.G. Pavelev, Yu.I. Koschurinov, V.M. Ustinov und P.S. Kopev
              
            
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          12:15 | 
          HL 4.8 | 
          
            
            
              
                Halbleiter-Übergitter mit S-förmiger Strom-Spannungs-Kennlinie — •M. Ellmauer, E. Schomburg, K.F. Renk, H. Steuer, A. Wacker und E. Schöll
              
            
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          12:30 | 
          HL 4.9 | 
          
            
            
              
                Einfluß der Verringerung der Elektronendichte auf elementare Anregungen eines 2D-Elektronengases. — •U. Haboeck, A.R. Goñi, M. Danckwertz, C. Thomsen und K. Eberl
              
            
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          12:45 | 
          HL 4.10 | 
          
            
            
              
                Einfluss von Te-Zwischenschichten auf die elektronische Struktur von ZnSe/GaAs(100)–Grenzflächen — •Th. Gleim, C. Heske, E. Umbach, C. Schumacher, W. Faschinger, C. Ammon, M. Probst und H.-P. Steinrück
              
            
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          13:00 | 
          HL 4.11 | 
          
            
            
              
                Grazing Incidence Diffraction Strain Analysis of a laterally modulated QW System produced by Focused Ion Implantation — •U. Pietsch, A. Daniel, J.P. Reithmaier, and A. Forchel
              
            
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          13:15 | 
          HL 4.12 | 
          
            
            
              
                Laterale Strukturierung von GaAs/AlAs Quantentöpfen mit fokussierten Ionenstrahlen: Einfluß des Channeling auf die Tiefenverteilung — •S. Eshlaghi, J. Koch, H.W. Becker, D. Reuter, D. Suter und A.D. Wieck
              
            
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