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DS: Dünne Schichten
DS 17: Ionenimplantation III
DS 17.2: Talk
Thursday, March 29, 2001, 11:30–11:45, S 5.1
EFTEM Charakterisierung nanometrischer SiCx Ausscheidungen und deren thermisches Verhalten — •Maik Häberlen, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg
Die Implantation von float-zone Si(100) mit Kohlenstoff-Ionen mit einer Energie von 180 keV führt bei Temperaturen zwischen 150 und 350∘C zur Bildung ausgedehnter Schichten, die durch selbstorganisierte Anordnungen von wenige Nanometer großen, amorphen Volumina gekennzeichnet sind. Die amorphen Nano-Bereiche haben die Form regelmäßig angeordneter Kugeln bzw., bei höheren amorphen Volumenanteil, die Form äquidistanter Lamellen. Bisherige Untersuchungen haben die Vermutung nahegelegt, daß es sich bei den amorphen Volumina um SiCx Ausscheidungen handelt und sich die Anordnung aus der Si-Dichtereduktion von amorphem SiCx gegenüber kristallinem Si ergibt. In diesem Beitrag wird anhand von Energy-Filtered TEM (EFTEM) Untersuchungen gezeigt, daß die amorphen Phasenanteile tatsächlich eine erhöhte Kohlenstoffkonzentration aufweisen. Ferner wird gezeigt, daß thermisches Ausheilen bei hinreichend hohen Temperaturen zur Bildung von Hohlräumen führt. Die Möglichkeit zur Herstellung geordneter SiC-Nanokristall-Arrays aus den amorphen Einschlüssen wird diskutiert.