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HL: Halbleiterphysik
HL 4: Bauelemente
HL 4.1: Talk
Monday, March 26, 2001, 10:30–10:45, S17
Ortsaufgelöste Rekombination von gespeicherten Ladungsträgern in lateralen Potentialübergittern — •J. Krauß1, A. O. Govorov2, A. Wixforth1 und J. P. Kotthaus1 — 1CeNS und Sektion Physik der LMU, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München — 2Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Science - Sibirian Branch, Lavrent’eva Av. 13, Novosibirsk 630090, Russia
Im vorliegenden Beitrag werden neue Ergebnisse
bezüglich eines Bauelements zur Speicherung photonischer
Signale [1] vorgestellt.
Die untersuchten Proben bestehen aus einer AlGaAs/GaAs
Quantentopf-Struktur, auf die
interdigitale Metallelektroden
aufgebracht wurden. Durch Anlegen einer entsprechenden Spannung
erreicht man eine in weiten Grenzen einstellbare
laterale Potentialmodulation in der
Ebene des Quantentopfes. Aufgrund der resultierenden lateralen
elektrischen Felder werden optisch generierte Elektron-Loch-Paare
getrennt, die entstehenden freien Ladungsträger sammeln sich in
den entsprechenden Potentialmulden.
Wird die Potentialmodulation aufgehoben, sind die Ladungsträger
frei beweglich und können strahlend rekombinieren (“Auslesen“).
In Lumineszenzmessungen kann das
Rekombinationsverhalten während des Auslesevorgangs bildlich
dargestellt werden. Die Auflösung beträgt hierbei 5µm bzw. 1ns.
Man erkennt insbesondere eine starke
Abhängigkeit der räumlichen Verteilung sowie der Intensität
von der zum Auslesen gewählten Potentialmodulation.
[1] S. Zimmermann, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, W. Wegscheider, M. Bichler, Science, Vol 283, p.1292 (1999)