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10:30 |
HL 4.1 |
Ortsaufgelöste Rekombination von gespeicherten Ladungsträgern in lateralen Potentialübergittern — •J. Krauß, A. O. Govorov, A. Wixforth und J. P. Kotthaus
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10:45 |
HL 4.2 |
Parametric frequency tuning of phase-locked nano-electromechanical resonators — •Robert Blick, Artur Erbe, Gilberto Corso, and Klaus Richter
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11:00 |
HL 4.3 |
Vertikale Leistungs-MOSFETs mit Delta-Dotierung — •Carolin Tolksdorf, Christoph Fink, Jörg Schulze, Stefan Sedlmaier, Walter Hansch, Wolfgang Werner, Werner Kanert und Ignaz Eisele
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11:15 |
HL 4.4 |
Technologie zur Herstellung von MOSFETs mit ultrakurzen Kanälen — •Joachim Knoch, Jörg Appenzeller, Bruno Lengeler, Richard Martel, Paul Solomon, Phadon Avouris, Christel Dieker, Jörg Scholvin und Jesus del Alamo
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11:30 |
HL 4.5 |
Vertikale, MOS-gesteuerte Tunneltransistoren in Silizium — •Stefan Sedlmaier, Jörg Schulze, Christoph Fink, Torsten Sulima, Carolin Tolksdorf, Ignaz Eisele, Kirsten Hilsenbeck und Walter Hansch
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11:45 |
HL 4.6 |
Positiv geschriebene In-Plane-Gate Transistoren — •Andrea Seekamp, Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck
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12:00 |
HL 4.7 |
Integriertes NAND Gatter mit resonanten Tunneldioden im Materialsystem GaAs/AlAs — •J. Malindretos, A. Förster, J. Stock, M. Indlekofer und H. Lüth
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12:15 |
HL 4.8 |
Untersuchung von Cleaved Edge Overgrowth Feldeffekttransistoren (CEOFET) mit ultrakurzen Kanallängen — •F. Ertl, T. Asperger, R.A. Deutschmann, M. Bichler und G. Abstreiter
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12:30 |
HL 4.9 |
Kurzkanal-Tunneltransistoren auf GaAs-Spaltflächen — •Thomas Asperger, Frank Ertl, Rainer A. Deutschmann, Max Bichler und Gerhard Abstreiter
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12:45 |
HL 4.10 |
Nanostrukturierung und optische Lithographie mit DUV-Photoresists bei der Herstellung vertikaler Double-Gate-MOSFETs — •St. Trellenkamp, J. Moers, R. Flücken, A. v.d.Hart, M. Marso, P. Kordoš und H. Lüth
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