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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Bauelemente

HL 4.10: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 12:45–13:00, S17

Nanostrukturierung und optische Lithographie mit DUV-Photoresists bei der Herstellung vertikaler Double-Gate-MOSFETs — •St. Trellenkamp, J. Moers, R. Flücken, A. v.d.Hart, M. Marso, P. Kordoš und H. Lüth — Institut für Schichten und Grenzflächen; Forschungszentrum Jülich; 52425 Jülich

Das Konzept des vertikalen Double-Gate-MOSFETs zielt auf einen vollständig invertierten Kanal, wodurch gewisse Kurzkanaleffekte unterdrückt werden. Erforderlich sind dabei laterale Strukturen deutlich unter 100 nm, weshalb Elektronenstahl-Lithographie für den Entwicklungsprozeß unverzichtbar ist. Die DUV-Photoresists von Shipley, der Positivlack UV6 und der Negativlack UVN30, wurden sowohl für die optische Lithographie als auch für die Nanostrukturierung durch Elektronenstrahl-Lithographie verwendet. 45 nm-Mesen im Negativ- und 60 nm-Gräben im Positivprozeß konnten bislang erreicht werden. Das Transistorkonzept und Resistuntersuchungen für Elektronenstrahl- und 248 nm-DUV-Lithographie werden vorgestellt.