Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: III-V Halbleiter I
HL 5.5: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 11:30–11:45, S6
UHV–Rastertunnelspektroskopie am adsorbatinduzierten 2DES auf InAs(110) — •J. Klijn1, Chr. Meyer1, D. Haude1, M. Getzlaff1, M. Morgenstern1, R. Adelung2, L. Kipp2, M. Skibowski2 und R. Wiesendanger1 — 1Institut für Angewandte Physik, Univerität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg — 2Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, 24098 Kiel
Durch Deposition geringer Fe-Mengen (0,05 ML) auf der in-situ gespaltenen InAs(110)-Oberfläche wurde ein zweidimensionales Elektronensystem (2DES) direkt an der Oberfläche erzeugt. Mittels winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie wurden die Subbandenergien zu -105 meV und -40 meV bestimmt. Rastertunnelspektroskopiemessungen am gleichen System ergaben spektroskopische Signaturen sowie charakterische Änderungen der lateralen Fluktuationslänge bei exakt diesen Energien. Eine Vermessung des Oberflächenpotentials mit Hilfe des spitzeninduzierten Quantenpunktes 1 zeigt Potentialfluktuationen von ± 6 meV bei Korrelationslängen von ca. 80 nm. Dies entspricht einer abgeschätzten 2DES–Mobilität von > 106 V/cm2 s 2, bzw. einer freien Weglänge von ca. 20 µ m. Die vermessenen lateralen Fluktuationen der 2DES-Zustandsdichte zeigen energieabhängige Variationen, die mit berechneten Einteilchen–Wellenfunktionen des Potentials verglichen werden. Erste Messungen am Landau–quantisierten 2DES wurden durchgeführt.
[1] R. Dombrowski, Chr. Steinebach, Chr. Wittneven, M. Morgenstern and R. Wiesendanger, Phys. Rev. B 59(1999)8043
[2] K. Hirakawa and H. Sakaki, Phys. Rev. B 33(1986)8291