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10:30 |
HL 5.1 |
Optische Nahfeld-Autokorrelationsspektroskopie an GaAs Einzelquantenfilmen — •G. von Freymann, U. Neuberth, M. Wegener, G. Kithrova und H. M. Gibbs
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10:45 |
HL 5.2 |
Theory of (III,Mn)V Semiconductor Ferromagnetism — •Jürgen König, Hsiu-Hau Lin, John Schliemann, and Allan MacDonald
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11:00 |
HL 5.3 |
Mechanismus der Bandlückenblauverschiebung in (Ga,In)(N,As) beim Tempern — •H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, J. Koch, W. Stolz, E.P. O’Reilly, M. Kamal Saadi und A. Lindsay
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11:15 |
HL 5.4 |
Photelektronenspektroskopie am adsorbatinduzierten zweidimensionalen Elektronengas: Grenzen des Oberflächendotierungsmodells — •Markus Morgenstern, Mathias Getzlaff, Jan Klijn, Christian Meyer, Roland Wiesendanger, Lukacz Plucinski, Renaud Brochier, Robert L. Johnson, Rainer Adelung, Kai Roßnagel, Lutz Kipp und Michael Skibowski
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11:30 |
HL 5.5 |
UHV–Rastertunnelspektroskopie am adsorbatinduzierten 2DES auf InAs(110) — •J. Klijn, Chr. Meyer, D. Haude, M. Getzlaff, M. Morgenstern, R. Adelung, L. Kipp, M. Skibowski und R. Wiesendanger
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11:45 |
HL 5.6 |
In-situ Messung von Wachstumsrate, Zusammensetzung und Dotierung bei AlGaAs - Reflexionsmessungen an planetarischen Multiwafer MOVPE Reaktoren — •K. Haberland, R. Hövel, J.-T. Zettler und W. Richter
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12:00 |
HL 5.7 |
Elektronisches Rauschen von DX-Zentren in AlN:Si — •Sebastian T. B. Goennenwein, Roland Zeisel, Silvia Baldovino, Martin S. Brandt und Martin Stutzmann
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12:15 |
HL 5.8 |
Elektro-optische Untersuchungen an GaSb/InAs/AlGaAsSb Hetrostrukturen — •Rahim Hamid, Frank Fuchs, Carmen Mermelstein, Johannes Schmitz, Wilfried Pletschen und Joachim Wagner
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12:30 |
HL 5.9 |
Angle-dependent photocurrent spectroscopy of oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers during aging — •A. Jaeger, P. M. Petroff, and T. D. Lowes
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12:45 |
HL 5.10 |
Oberflächenuntersuchungen mit tertiär-Butyl-Hydrazin auf GaAs(001) und GaAsN in der MOVPE — •F. Poser, T. Schmidtling, S. Weeke, J.-T. Zettler und W. Richter
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