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HL: Halbleiterphysik

HL 5: III-V Halbleiter I

HL 5.6: Talk

Monday, March 26, 2001, 11:45–12:00, S6

In-situ Messung von Wachstumsrate, Zusammensetzung und Dotierung bei AlGaAs - Reflexionsmessungen an planetarischen Multiwafer MOVPE Reaktoren — •K. Haberland^1,2, R. Hövel³, J.-T. Zettler^1,2 und W. Richter¹ — ¹Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²LayTec GmbH, PN 5-7, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ³Avalon Photonics Ltd., Badenerstr. 569, Postfach, CH-8048 Zürich, Switzerland

Mittels optischer Reflektivitäts- und Reflexions-Anisotropie-Messungen können in der MOVPE Wachstumsrate, Zusammensetzung ternärer Materialien, Temperatur und Dotierung in-situ bestimmt werden. Für einzelne Wafer wurde dies in den letzten Jahren bereits demonstriert. Wir zeigen, daß auch in modernen Multiwafer-Reaktoren mit planetarischer Rotation gleichartige in-situ Messungen möglich sind. Durch Kopplung des Spektrometers an das Epitaxiesystem wird eine Synchronisation der Messung mit der Hauptrotation des planetarischen Suszeptors erreicht. Auch die Messung auf ausgewählten Wafern ist damit möglich.

Es wurde das Wachstum von Al_xGa_1−xAs auf GaAs untersucht. Hierbei wurden zunächst die Wachstumsraten für Schichten mit verschiedenem Al-Gehalt in-situ bestimmt, sowie Kalibrierkurven zur Bestimmung der Zusammensetzung des AlGaAs erstellt. Der Messung sind dabei Wachstumsrate und Zusammensetzung für jeden einzelnen Wafer separat zugänglich. Darüberhinaus wurde der Einfluß von n- und p-Dotierung auf die optischen Signaturen des AlGaAs untersucht. Die in-situ Messungen wurden dann mit ex-situ Messungen korreliert.