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Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 32: Epitaxie und Wachstum (II)

Thursday, March 29, 2001, 15:30–19:00, C

15:30 O 32.1 Verspannung und Morphologie bei der Homoepitaxie auf Si(111) — •P. Kury, P. Zahl und M. Horn-von Hoegen
15:45 O 32.2 Ab-initio Untersuchung des Wachstums kleiner Si Cluster auf As und Sb bedecktem Si(111) — •A. Antons, R. Berger, Wi. Kromen, S. Blügel und K. Schroeder
16:00 O 32.3 Der Einfluss von Interfactants auf das Wachstum von Pb auf Si(111) — •Thomas Schmidt, Barbara Ressel, Stefan Heun und Ernst Bauer
16:15 O 32.4 Stability and adatom dynamics on surfactant-covered growing Ge(111) films — •K. Schroeder, Y. Cao, A. Antons, R. Berger, Wi. Kromen, and S. Blügel
16:30 O 32.5 Ge(111) auf Si(111): SPALEED-Untersuchungen des Wachstums der ersten Monolagen bei Surfactant-modifizierter Epitaxie — •Irene Dumkow, A. Janzen und M. Horn-von Hoegen
16:45 O 32.6 Periodische Versetzungsnetzerke von Ge-Filmen auf Si(111) — •Th. Schmidt, T. Clausen, J. Falta, M. Kammler, P. Zahl, P. Kury, A. Janzen und M. Horn-von Hoegen
17:00 O 32.7 Temperaturabhängigkeit der Surfactant-modifizierten Epitaxie von Ge auf Si(111) — •A. Janzen, I. Dumkow, M. Kammler, P. Zahl, Th. Schmidt, T. Clausen, J. Falta und M. Horn-von Hoegen
17:15 O 32.8 Analyse der Oberflächenstruktur epitaktischen Eisensilizids auf Si(111) mittels LEED — •S. Walter, R. Bandorf, W. Weiß, U. Starke und K. Heinz
17:30 O 32.9 Wachstum dünner Mn-Filme auf Si(111) — •Georgios Ctistis, Uta Deffke, Jens Paggel und Paul Fumagalli
17:45 O 32.10 Initial Stages of Praseodymium Oxide Deposition on Si(001) — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, Konstantin Ignatovich, and Victor Zavodinsky
18:00 O 32.11 Strukturelle Untersuchungen von ultradünnen SiNx/Si(111) mit Synchrotronstrahlungsmethoden — •O. Brunke, Th. Schmidt und J. Falta
18:15 O 32.12 Spannungen in CaF2/Si(111)-Filmen: Eine SSIOD und SXRD Studie — •A. Klust, M. Bierkandt, C. Deiter, J. Falta, R. Feidenhans’l, M. Horn-von Hoegen, C. Kumpf, T. Schmidt, Yixi Su, J. Wollschläger und P. Zahl
18:30 O 32.13 Alloying and adatom diffusivity in the initial stages of InAs/GaAs heteroepitaxy — •Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
18:45 O 32.14 Eine STM-Studie zum epitaktischen Wachstum des Fe auf GaAs(001) — •Rupert Moosbühler, Frank Bensch und Günther Bayreuther
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