Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II

DS 2.1: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 11:00–11:15, HS 31

Optisch aktive, kristalline, Selten Erd dotierte Y₂O₃-PLD-Schichten auf Saphir — •Philipp Burmester¹, Günter Huber¹, Malte Kurfiss² und Meinhard Schilling³ — ¹Institut für Laser-Physik, Universität Hamburg — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg — ³Institut für Elektrische Meßtechnik und Grundlagen der Elektrotechnik, Technische Universität Braunschweig

Die Familie der Sesquioxide, zu denen Y₂O₃ zählt, ist auf Grund der sehr hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Wirkungsquerschnitte für Übergänge in Selten Erd-Dotierungsionen, die eine vorteilhafte, große Starkaufspaltung der Energieniveaus erfahren und der geringen Phononenenergien für Laseranwendungen von großem Interesse. Y₂O₃-Schichten auf Saphirsubstraten weisen auf Grund des günstigen Brechzahlverhältnisses gute Wellenleitereigenschaften auf.

In dieser Arbeit werden grundsätzliche Untersuchungen der optischen Eigenschaften an Eu³⁺ und Nd³⁺ dotierten Y₂O₃-Schichten präsentiert, die mittels der Pulsed Laser Deposition-Technik (PLD) auf (0001) Al₂O₃ gewachsen wurden. Röntgendiffraktometrieuntersuchungen haben gezeigt, dass unter geeigneten Prozessparametern kristallines Schichtwachstum in <111> Richtung erzielt wird. An Hand spektroskopischer Untersuchungen an Eu³⁺ dotiertem Y₂O₃ wird die Abhängigkeit der optischen Eigenschaften von der Schichtdicke analysiert. An Nd³⁺ dotierten Schichten werden Wellenleitereigenschaften experimentell demonstriert und modelliert.