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DS: Dünne Schichten

DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II

DS 2.5: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 12:00–12:15, HS 31

Defektespektren in CuInSe₂ und CuGaSe₂ — •Niklas Rega, Inge Beckers, Jörg Beckmann, Jürgen Albert und Susanne Siebentritt — HMI Berlin Glienickerstr. 100 14109 Berlin

Die Chalkopyrite CuInSe₂ und CuGaSe₂ sind für die Photovoltaik vielversprechende Verbindungshalbleiter. Die notwendige Dotierung, die die Ladungsträgerkonzentration und den Leitungstyp des Halbleiters bestimmt, erfolgt bei diesen Halbleitern durch Eigendefekte, wie Leerstellen oder Fehlbesetzungen. Über die Komposition kann die Art und Stärke der Dotierung beeinflusst werden.

CuGaSe₂ kann bislang nur p-leitend gewachsen werden. Unsere Photolumineszenz (PL) und Hall-Effekt (Hall) Messungen zeigen, dass die Tieftemperatur-PL-Spektren meist von zwei Akzeptoren (A) (60meV und 100meV) und einem Donator (D) (12 meV) dominiert werden, die zwei verschiedene DA-Übergänge ermöglichen (bei 1.62eV und 1.66eV für E_G=1.73eV).

CuInSe₂ kann sowohl p-leitend als auch n-leitend hergestellt werden. Bei p-leitendem CuInSe₂ wird das PL-Spektrum von einem DA-Übergang dominiert, der je nach Komposition bei 0.92-0.95eV (Cu/In<1) bzw. 0.97-0.98eV (Cu/In>1) liegt. Die PL und Hall Messungen von epitaktischen CuGaSe₂ und CuInSe₂ Dünnschichten, die mittels MOCVD auf GaAs (100) gewachsenen wurden, werden vorgestellt und die Unterschiede in den Defektspektren der beiden Materialien diskutiert.