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Regensburg 2002 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 23: Ionenimplantation: Ionenstrahlmischen

DS 23.1: Talk

Thursday, March 14, 2002, 09:30–09:45, HS 32

Einfluss des Bestrahlungswinkels auf das Hochenergie-Ionenmischen keramischen Dünnschicht-Systemen — •Wolfgang Bolse1, Ando Feyh1, Tilman Renz1, Beate Schattat 1, Jens Wiesner1, Siegfried Klaumünzer2 und Frank Schrempel31Institut für Strahlenphysik, Universität Stuttgart — 2Hahn-Meitner-Institut, Berlin — 3Institut für Festkörperphysik, Universität Jena

Im Rahmen unserer Untersuchung der Transportmechanismen beim Ionenmischen keramischer Schichtpakete mit hochenergetischen Ionen wurden NiO/SiO2/Si-Schichtpakete unter Verkippungswinkeln von
θ=0−85 mit Ar-, Kr- und Xe-Ionen bestrahlt. Die Ionenenergien bewegten sich zwischen 90 und 260MeV, die Bestrahlungsfluenzen zwischen 1014 und 1015/cm2. Während der Bestrahlung wurden die Proben auf T=77K gehalten. Oberhalb θ≈60 kam es zur Bildung von Riss- und Lamellenstrukturen auf der Oberfläche, so dass für diesen Winkelbereich keine Aussagen über die Grenzschichtdurchmischung gemacht werden kann. Zwischen θ=0 bis etwa θ=60 zeigten RBS-Messungen, dass der Mischeffekt mit zunehmender Verkippung der Probenoberfläche bezüglich der Strahlrichtung abnimmt, was auf einen stark anisotropen eindimensionalen Charakter des Atomtransports in Richtung der aufgeschmolzenen Ionenspur hindeutet.

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