Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 27: Postersitzung
DS 27.17: Poster
Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B
ITO als leitfähiger IBAD-Puffer für HTSL — •Karola Thiele1, Jürgen Dzick1, Lars Kautschor2, Christian Jooss2, Sibylle Sievers1, Jörg Hoffmann2 und Herbert C. Freyhardt1,2 — 1Institut für Materialphysik, Universität Göttingen, 37073 Göttingen — 2Zentrum für Funktionswerkstoffe gGmbH, 37073 Göttingen
Mittels ionenstrahlunterstützter Deposition (IBAD) wurden biaxial texturierte Indium-Zinnoxid (ITO) Filme als elektrisch leitfähige Pufferschichten auf verschiedenen Substraten hergestellt. Die Filme zeigen (001)-orientiertes Wachstum mit ausgeprägter in-plane Orientierung. Der Einfluss der Parameter des texturierenden Ionenstrahls (Stromdichte, Einfallswinkel) auf die in-plane Textur wurde mittels Röntgendiffraktometrie (XRD) und Transmissionelektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Bisher wird eine in-plane Textur mit einer Halbwertsbreite (FWHM) von 12,6∘ erreicht (Filmdicke 1 µm). Die Ausprägung der in-plane Textur von ITO nimmt mit der Schichtdicke zu, ähnlich wie beim IBAD-Material YSZ (Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid). Die Abhängigkeit der Textur von der Ätzrate und dem Einfallswinkel des IBAD-Strahls ist für ITO und YSZ verschieden, was auf unterschiedliche Mechanismen der Texturausbildung hinweist. Die Pufferqualität wurde durch Deposition hochstromtragfähiger YBCO-Filme (Koevaporation) überprüft. Ein YBCO-Film (mit einer 3-5 nm dicken elektrisch durchlässigen Y2O3 Zwischenschicht) auf einem IBAD-ITO Film mit 20∘ FWHM (1cm x 1cm) zeigt eine kritische Stromdichte von jC = 0,76 MA/cm2 (77K, 0T). Ein YBCO-Film auf einem Edelstahlband (1cm x 3cm, 100 µm dick ) mit 20∘−30∘ FWHM ITO zeigt eine jC-Verteilung von 0,3−0,5 MA/cm2.