Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: II-VI Halbleiter
HL 23.13: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 18:15–18:30, H17
Kompensation in p-dotiertem ZnO — •Martin Straßburg1, U. Haboeck1, A. Kaschner1, A. Hoffmann1, Matthias Straßburg1, D. Bimberg1, A. Zeuner2, H.R. Alves2, D.M. Hofmann2, B.K. Meyer2, A. Dadgar3 und A. Krost3 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Gießen — 3Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, FNW-IEP, Abt. Halbleiterepitaxie, Universitätsplatz 2, D-39106 Magdeburg
Wie in vielen anderen Breitbandhalbleitern stellt auch in ZnO die p-Dotierung ein erhebliches Problem dar. Dabei hat sich Stickstoff (N) als vielversprechender Kandidat zur Herstellung niederohmiger Schichten erwiesen. Mittels optischer Spektroskopie und SIMS (Sekundär Ionen Massenspektroskopie) werden die Auswirkungen des N-Einbaus in CVD- und MOCVD- gewachsenen ZnO Schichten analysiert. Nur ein Bruchteil der eingebauten N-Atome (bis zu einigen 1019 cm−3) trägt zur p-Dotierung bei, denn mit zunehmender N-Konzentration steigt auch die Menge des eingebauten Wasserstoffs. Es wird vermutet, dass dieser, ähnlich wie in GaN:Mg, zu kompensierenden Komplexen führt. Diese Kompensation hat einen eindeutigen Einfluss auf die exzitonische und Donator-Akzeptor-Paarband - Lumineszenz. Temperatur- und anregungsdichteabhängige Photolumineszenzuntersuchungen ermöglichen die Identifikation entsprechender Donatoren- und Akzeptorenzustände und geben Aufschluss über die Mechanismen, die in ZnO:N zur Kompensation beitragen.