Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: GaN II

HL 44.2: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:00–11:15, H15

Bildung natürlicher und thermischer Oxide auf GaN-Oberflächen mit Ga-face und N-face Polarität — •Verena Weiss, Georg Steinhoff, Olaf Weidemann, Martin Eickhoff und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Zur Realisierung von elektronischen Bauelementen wie z.B. Schottky-Dioden oder oberflächenempfindlichen Sensoren ist die Kenntnis und Kontrolle der chemischen Zusammensetzung der Oberfläche während der Prozessierung von entscheidender Bedeutung. So führt z.B. die Bildung eines "natürlichen Oxides" in vielen Fällen zu einer nachteiligen Beeinflussung der elektronischen Eigenschaften eines Bauelementes. Die kontrollierte Oxidation von Ga und GaN an der Oberfläche kann hingegen zur Passivierung, zur elektrischen Isolation oder zur Manipulation der Benetzungseigenschaften genutzt werden. Die vorgestellten Arbeiten umfassen eine sytematische Analyse der Bildung oxidischer Schichten auf GaN. Dabei wird die Abhängigkeit des Oxidationsverhaltens von der Polarität sowie der Einfluss des Oxidationsprozesses auf die chemische Zusammensetzung der resultierenden Oxidschicht untersucht.