HL 44: GaN II
Freitag, 15. März 2002, 10:45–12:15, H15
 |
10:45 |
HL 44.1 |
Spektroskopische Ellipsometrie bei der Entwicklung der Schichtkoaleszenz von GaN auf Saphir in der MOVPE — •Torsten Schmidtling, O. Gelhausen, S. Peters, U.W. Pohl und W. Richter
|
|
|
|
11:00 |
HL 44.2 |
Bildung natürlicher und thermischer Oxide auf GaN-Oberflächen mit Ga-face und N-face Polarität — •Verena Weiss, Georg Steinhoff, Olaf Weidemann, Martin Eickhoff und Martin Stutzmann
|
|
|
|
11:15 |
HL 44.3 |
Helle, rißfreie GaN-basierte Leuchtdioden auf Silizium Substrat — •Armin Dadgar, Margarethe Poschenrieder, Till Riemann, Karsten Fehse, Jürgen Bläsing, Annette Diez, Jürgen Christen und Alois Krost
|
|
|
|
11:30 |
HL 44.4 |
THERMAL ANALYSIS FOR CW-OPERATION OF InGaN LASER DIODES — •V. Kümmler, G. Brüderl, S. Bader, S. Miller, A. Weimar, A. Lell, and V. Härle
|
|
|
|
11:45 |
HL 44.5 |
Accelerated Lifetime Testing of GaInN/GaN Light Emitting Diodes — •Heinz-Christoph Neitzert, Manuela Ferrara, and Elena Salurso
|
|
|
|
12:00 |
HL 44.6 |
Ionensensitive Transistoren und chemische Sensoren auf Basis von Gruppe III-Nitriden — •Georg Steinhoff, Verena Weiss, Martin Hermann, Barbara Bauer, Martin Eickhoff, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
|
|
|
