Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: GaN II

HL 44.3: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:15–11:30, H15

Helle, rißfreie GaN-basierte Leuchtdioden auf Silizium Substrat — •Armin Dadgar, Margarethe Poschenrieder, Till Riemann, Karsten Fehse, Jürgen Bläsing, Annette Diez, Jürgen Christen und Alois Krost — Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 1, 39016 Magdeburg

GaN-basierte Bauelemente auf Silizium Substrat zeichnen sich durch durch die Möglichkeit einer einfachen Kontaktierung bzw. deutlich geringeren Herstellungskosten gegenüber Bauelementen auf Saphir bzw. SiC aus. Bislang führten jedoch bauelementrelevante GaN-Schichtdicken oberhalb von 1 Mikrometer aufgrund der thermischen Fehlanpassung mit dem Si-Substrat zur Rißbildung des GaN. Durch das Einfügen von dünnen Niedertemperatur AlN-Schichten können wir die tensile Verspannung deutlich senken und somit die Rißbildung komplett vermeiden. Mit solchen Zwischenschichten haben wir ca. 3 Mikrometer dicke rißfreie GaN-basierte Leuchtdioden auf Si(111) Substraten hergestellt. Die optische Leistung der vertikal kontaktierten Dioden beträgt ca. 155 Mikrowatt bei 20 mA und 455 nm, was für eine Anwendung z. B. als einfache Signallampe völlig ausreicht.