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HL: Halbleiterphysik

Mo, 09:30–10:15 H15 HL 1: Hauptvortrag
Mo, 10:30–13:15 H13 HL 2: Transporteigenschaften
Mo, 10:30–13:30 H14 HL 3: Heterostrukturen I
Mo, 10:30–13:00 H15 HL 4: Photonische Kristalle
Mo, 10:30–13:45 H17 HL 5: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. I
Mo, 14:30–15:15 H15 HL 6: Hauptvortrag
Mo, 15:30–16:30 H13 HL 7: Störstellen / Amorphe Halbleiter
Mo, 15:30–16:30 H14 HL 8: Heterostrukturen II
Mo, 15:30–17:15 H15 HL 9: Optische Eigenschaften
Mo, 15:30–17:15 H17 HL 10: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. II
Mo, 17:00–19:30 Poster A HL 11: Poster 1
Di, 09:30–10:15 H15 HL 12: Hauptvortrag
Di, 10:15–11:00 H15 HL 13: Hauptvortrag
Di, 11:00–13:15 H13 HL 14: III-V Halbleiter I
Di, 11:00–13:30 H14 HL 15: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. I
Di, 11:00–13:45 H15 HL 16: Transport im hohen Magnetfeld / QHE
Di, 11:00–13:15 H17 HL 17: GaN I
Di, 14:30–17:30 H15 HL 18: Symposium: Physics in High Magnetic Fields
Di, 14:00–14:45 H13 HL 19: III-V Halbleiter II
Di, 14:30–17:30 H14 HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. II
Di, 14:30–15:15 H17 HL 21: Organische Halbleiter
Di, 15:15–18:45 H13 HL 22: Halbleiterlaser
Di, 15:15–18:45 H17 HL 23: II-VI Halbleiter
Di, 17:30–19:00 H14 HL 24: Ultrakurzzeitph
änomene I
Mi, 14:30–17:00 H15 HL 25: Symposium: II-VI Halbleiter
Mi, 13:45–14:45 H13 HL 26: Kohlenstoff/Diamant
Mi, 14:30–18:00 H14 HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II
Mi, 14:30–17:30 H17 HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
Mi, 15:30–19:00 H13 HL 29: Spinabh
ängiger Transport
Do, 09:30–10:15 H15 HL 30: Hauptvortrag
Do, 10:30–11:15 H13 HL 31: Elektronentheorie
Do, 10:30–13:30 H14 HL 32: Photovoltaik
Do, 10:30–13:00 H15 HL 33: SiC
Do, 11:15–12:00 H13 HL 34: Bauelemente
Do, 12:00–13:30 H13 HL 35: Hybride Systeme und neue Materialien
Do, 14:30–15:15 H15 HL 36: Hauptvortrag
Do, 15:15–16:00 H15 HL 37: Hauptvortrag
Do, 16:30–19:00 Poster A HL 38: Poster 2
Fr, 10:30–11:15 H15 HL 40: Hauptvortrag
Fr, 11:15–12:00 H15 HL 41: Hauptvortrag
Fr, 11:00–12:15 H13 HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung
Fr, 10:30–12:15 H14 HL 43: Si/Ge
Fr, 10:45–12:15 H15 HL 44: GaN II
Fr, 12:00–13:45 H17 HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen
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