Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.39: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Simulationen des MBE-Wachstums auf fcc(111)-Oberflächen mit effektiver Einteilchendynamik. — •Jens Schipper, Martin Ahr und Michael Biehl — Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Am Hubland, 97074 Würzburg

Wir haben einen Algorithmus zur Simulation homoepitaktischen MBE-Wachstums entwickelt, der wesentlich weniger Rechenzeit benötigt als die bisher üblichen Standardmethoden. In diesen wird die gleichzeitige Diffusion vieler Teilchen auf der Oberfläche betrachtet. Stattdessen verfolgen wir die Diffusion eines einzelnen Teilchens von der Deposition bis zum Erreichen eines unbeweglichen Zustands. Nukleationsereignisse werden durch effektive Diffusions- und Kantendiffusionslängen berücksichtigt. Insbesondere interessieren wir uns für Pt(111)-Oberflächen. In der Literatur werden unterschiedliche Energiebarrieren für die Diffusion über Stufen verschiedener Orientierung angegeben. Auch die Aktivierungsenergien für die Kantendiffusion hängen von der Orientierung der Kante ab. Diese Effekte werden in unserem Modell explizit berücksichtigt. Wenn Energiebarrieren, die mit Hilfe der Dichtefunktionaltheorie [P. J. Feibelman, Phys. Rev. B 60 (7), 4972, 1999 und P. J. Feibelman, Phys. Rev. Lett. Vol 81 (1) 168, 1998] berechnet wurden, eingesetzt werden, ist ein direkter Vergleich der Formen von Inseln und Hügeln mit STM-Aufnahmen möglich.