Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.40: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Simulationen zum 2d-3d Übergang in der Heteroepitaxie — •Florian Much, Martin Ahr und Michael Biehl — Institut für Theoretische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D 97074 Würzburg

Ein interessantes Phänomen der Heteroepitaxie ist die spontane Bildung von dreidimensionalen Inseln - der sogenannte 2d-3d Üebergang - wie er zum Beispiel bei MBE Wachstum von Ge auf Si(100) oder von PbSe auf PbTe(111) beobachtet wird.

Mit Hilfe von kinetischen Monte Carlo Simulationen in 1+1 und 2+1 Dimensionen untersuchen wir diesen Übergang unter Verwendung unterschiedlicher Wechselwirkungspotentiale.

In den 1+1 dimensionalen Simulationen kommt dabei ein Modell zum Einsatz, in dem die Wechselwirkung zwischen den einzelnen Teilchen des Systems mit Hilfe eines Lennard-Jones Potentials beschrieben wird. Für die Simulationen in 2+1 Dimensionen modellieren wir die Wechselwirkung zwischen den Teilchen durch ein harmonisches Potential. Die Bindungsenergie eines Teilchens berechnet sich dann aus der Zahl seiner Nachbarn und der Verspannungsenergie.

Beide Simulationsmethoden zeigen bei geeigneter Wahl der Parameter einen 2d-3d Übergang. Wir untersuchen jeweils die Abhängigkeit der Inselgröße beim Übergang von der Simulationstemperatur und dem Gitterunterschied zwischen Substrat und Adsorbat.