Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 13.42: Poster
Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C
Germanium auf relaxierten Ge0.8Si0.2 Pseudosubstraten - Präparation und Morphologie — •Irene Dumkow1, T. Wietler2, K.R. Hofmann2 und M. Horn-von Hoegen1 — 1Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität Essen, 45117 Essen — 2Institut für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Appelstr. 11a, 30167 Hannover
Für MODFET Strukturen sollen verspannte, reine Germaniumschichten einer Dicke von bis zu 10 nm auf Ge0.8Si0.2-Buffern aufgewachsen werden. Die relaxierten 250 nm dicken Pseudosubstrate wurden mit Hilfe der Surfactant Modifizierten Epitaxie auf Si(111) hergestellt. Die Gitterfehlanpassung wird dabei über ein Netzwerk von Versetzungen kompensiert. Zur Passivierung für den Transport durch Luft vor dem nächsten Prozessschritt wurde das Pseudosubstrat mit 15 ML Sb bedeckt. Obwohl Antimon bei 400 ∘C aufgrund des Dampfdruckes desorbieren sollte, geschah dies erst vollständig nach 30 s Flash bei 750 ∘C, wie mit Hilfe der Augerspektroskopie überprüft wurde. Nach der Sb-Desorption besitzt der Ge0.8Si0.2-Buffer eine leicht aufgerauhte (7x7) Überstruktur ohne Facetten. Darauf gewachsene reine Germaniumschichten mit Sb als Surfactant sind aufgerauht und zeigen 50 Å große Facetten in [110]-Richtung. Mit hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) wurde deshalb der Einfluss der Wachstumstemperatur, unterschiedlicher Ausheiltemperaturen und des Wachstums mit oder ohne Sb als Surfactant auf die Oberflächenmorphologie der auf dem Buffer gewachsenen Germaniumfilme bestimmt. Zudem wurden diese Ergebnisse mit Germaniumfilmen verglichen, die in-situ auf 130 Å dicken Buffern mit unterschiedlichen Legierungsverhältnissen von Si und Ge gewachsen wurden.