Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.44: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Wachstum von Kobaltsiliziden auf Silizium(111) mit gepulster Laserdeposition — •Matthias Löffler, Martin Weinelt und Thomas Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen

Das Wachstum dünner Filme mit gepulster Laserdeposition (PLD) unterscheidet sich vom Wachstum mit Molekularstrahlverdampfern vor allem durch die wesentlich höhere Depositionsrate und die wesentlich höhere Energie des aufgebrachten Materials. Diese beiden Faktoren beeinflussen sowohl das Nukleationsverhalten und das Anfangswachstum als auch das Wachstum dickerer Filme.

Wir vergleichen das Wachstum von Kobaltsiliziden, die entweder mit Solid Phase Epitaxy (SPE) oder mit PLD unter Ultrahochvakuumbedingungen hergestellt werden. Die aufgedampften Filme werden sowohl unmittelbar nach der Deposition des Kobalts als auch nach Ausheilschritten, die von 380^∘C bis 740^∘C durchgeführt werden, untersucht. Dabei erkennen wir Unterschiede zwischen PLD und SPE bei Filmdicken von 4 bis 6 Monolagen mit der Beugung niederenergetischer Elektronen für die 2x1-Rekonstruktion bei 500^∘C. Mit Rastertunnelmikroskopbildern wird versucht, das unterschiedliche Wachstumsverhalten auf mikroskopischer Basis zu erklären.