Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 13.46: Poster
Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C
STM-Untersuchungen an Si/CaF2/Si(111)-Vielfachschichten — •M. Bierkandt, C. Deiter und J. Wollschläger — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover
Calciumfluorid (CaF2) ist aufgrund seiner großen Bandlücke von 12.1 eV und der sehr kleinen Gitterfehlanpassung zu Silizium (Si) von nur 0.5% bei Raumtemperatur (RT) zur Herstellung epitaktischer Isolatorschichten auf Si-Basis prädestiniert. Daher sind diese Materialien für die Herstellung von Halbleiter-Isolator-Halbleiter-Nanostrukturen (z.B. resonante Tunneldioden) von größtem Interesse. Wir haben sowohl das Wachstum von CaF2/Si(111) als auch das Wachstum von Si auf diesen Isolatorschichten mit dem STM untersucht. Diese Experimente zeigen, daß die Diffusionsvorgänge der Si-Atome auf dem CaF2 so schnell sind, daß bei Temperaturen oberhalb RT, die zur Herstellung epitaktischer Si-Schichten notwendig sind, die heterogene Nukleation an Defekten die Wachstumskinetik dominiert. Bei den verwendeten atomar glatten, defektarmen CaF2-Schichten führte das zu einer unerwünschten geringen Inselbildung, wodurch stark inhomogene Si-Schichten entstanden. mittels bis angetsrebte Als erfolgsversprechender Ansatz, homogenere Schichten herzustellen, kristallisierte sich die kontrollierte Defekterzeugung in den CaF2-Schichten mittels Elektronenbeschuß heraus. In dieser Weise können hohe Keimdichten erzeugt werden, so daß Si auch bei höheren Temperaturen sowohl homogen als auch epitaktisch wächst.