Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.59: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Der Einfluß von Wasserstoff auf die Struktur der InP(001)-Oberfläche — •Patrick Hahn, Wolf-Gero Schmidt und Friedhelm Bechstedt — Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Max Wien Platz 1, 07743 Jena

Trotz der Bedeutung von InP für optoelektronische Anwendungen ist die (001)-Wachstumsoberfläche nur unvollständig verstanden. Die von Gesamtenergierechnungen bekannten (2x4) und c(4x4)-rekonstruierten Oberflächenstrukturen erklären nicht alle experimentellen Ergebnisse, insbesondere nicht die P-reichen (1x2)- und (2x2)-rekonstruieren Oberflächen, die nach dem MOVPE-Wachstum von InP beoachtet werden. Zur Erklärung der beobachteten Strukturen vorgeschlagene gebuckelte P-Dimer-Modelle konnten andererseits in Gesamtenergierechnungen nicht verifiziert werden. Weiterhin auffallend sind die Unterschiede in den beobachteten OF-Strukturen zwischen MBE und MOVPE. Um diese Widersprüche und offenen Fragen aufzuklären, haben wir ab-initio Gesamtenergierechnungen durchgeführt, wobei im Unterschied zu früheren Rechnungen die Möglichkeit der Adsorption von Wasserstoff explizit untersucht wird. Das so berechnete 2-dimensionale Phasendiagramm und die elektronischen Eigendschaften der entsprechenden Gleichgewichtsstrukturen sind im Einklang mit den experimentellen Befunden und weisen auf eine partiell mit Wasserstoff bedeckte Oberfläche als Ergebnis des MOVPE-Wachstums hin.