Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.5: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Energiedissipation bei der Chemisorption atomaren Wasserstoffs auf Al(111)-Oberflächen: Analyse der elektronischen Struktur — •Michael Lindenblatt und Eckhard Pehlke — Fachbereich Physik, Universität Essen, 45117 Essen

Die Energiedissipationsmechanismen bei exothermen chemischen Reaktionen von Atomen und Molekülen mit Festkörperoberflächen sind quantitativ noch ungeklärt. Nicht-adiabatische Effekte, wie Chemolumineszenz und Exoelektronenemission, sind beobachtet und theoretisch durch Übergänge zwischen angeregten und Grundzustands-Born-Oppenheimer-Flächen beschrieben worden [1]. H. Nienhaus et al. [2] konnten nicht-adiabatische Prozesse bei der Chemisorption atomaren Wasserstoffs auf Metalloberflächen durch die Detektion des Chemostroms nachweisen. In diesem Fall kann die Elektron-Loch-Anregung ggf. eher als elektronische Störung der Festkörperelektronen durch das zeitabhängige Störpotential des Wasserstoffatoms, d. h. als elektronische Reibung, verstanden werden. Zur Analyse des Mechanismus der Elektron-Loch-Anregung haben wir Spindichtefunktional-Rechnungen des elektronischen Grundzustands als Funktion des Abstands des Wasserstoffatoms von der Oberfläche durchgeführt. Die auf das H-Atom projizierten Zustandsdichten werden im Rahmen des Newns-Anderson-Modells interpretiert.

[1] T. Greber, Surf. Sci. Rep. 28, 1 (1997).

[2] H. Nienhaus et al., Phys. Rev. Lett. 82, 446 (1999).