Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 13.65: Poster

Montag, 11. März 2002, 18:00–21:00, Bereich C

Untersuchung der Sb/Si(110)-2x3 Oberfläche mit winkelaufgelöster Photoelektronenbeugung — •Mark Schürmann^1,2, Stefan Dreiner^1,2, Carsten Westphal^1,2 und Helmut Zacharias² — ¹Universität Dortmund, Lehrstuhl für Experimentelle Physik I, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund — ²Universität Münster, Physikalisches Institut, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Sb-Schichten auf Si-Oberflächen sind ein System, an dem in den letzten Jahren großes Interesse bestand. Gründe dafür sind die Bedeutung von Sb als Dotierung in Halbleiterbauelementen und als Surfactant beim epitaktischen Wachstum auf Si. Während aus diesen Gründen Sb-Schichten auf Si(100) und Si(111) schon häufig untersucht wurden, gibt es bisher jedoch kaum Erkenntnisse über Sb auf Si(110). Deshalb wurde die Sb/Si(110)-2x3 Oberfläche mit winkelaufgelöster Photoelektronenbeugung untersucht. Die Energie der anregenden Strahlung (hν=570eV) wurde so gewählt, daß die kinetische Energie der Photoelektronen (E_kin = 45eV) in der Nähe des Minimums der mittleren freien Weglänge liegt, um eine hohe Oberflächenempfindlichkeit zu erreichen.

Quantitative Aussagen über Strukturparameter des untersuchten Systems sind aufgrund der aufwendigen Auswertung der Messdaten bisher schwierig. Es zeigt sich jedoch bereits, daß Sb-Atome an der Oberfläche in Form von Trimeren adsorbiert sind. Diese Trimere und die darunterliegende oberste Si-Lage scheinen leicht verkippt zu sein. Die Sb-Bedeckung der Oberfläche beträgt dabei etwa eine Monolage.