Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)
O 19.1: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 11:15–11:30, H45
Aufbau und Zusammensetzung der rekonstruierten ZnSe(001) Oberfläche — •W. Weigand1, A. Müller1, L. Kilian1, O. Bunk2, P. Bach3, T. Schallenberg3, W. Faschinger3, L. Molenkamp3, R.L. Johnson4, C. Kumpf1 und E. Umbach1 — 1Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Deutschland — 2Materials Research Departement, Risø National Laboratory, Dänemark — 3Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Deutschland — 4II. Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Deutschland
Bereits in den frühen 90er Jahren etablierten sich, gestützt auf theoretische Rechnungen sowie SXPS und LEED-Messungen [1], für die (2x1) bzw. c(2x2) rekonstruierte ZnSe(001) Oberfläche ein Se-Dimer bzw. Zn-Leerstellen Strukturmodell. Neuere RHEED-IV Messungen [2] stellen jedoch die Allgemeingültigkeit des Zn-Leerstellen Modelles für die c(2x2) Rekonstruktion in Frage. Deshalb wurden beide Rekonstruktionen erstmalig mit Oberflächenröntgenbeugung (SXRD) untersucht. Ergänzt wurden diese Experimente durch LEED und SXPS-Messungen. In der MBE der Universität Würzburg gewachsene ZnSe-Filme wurden hierfür unter UHV zum HASYLAB transportiert und an den Strahlrohren BW2 (SXRD) und E1 (SXPS) untersucht. Wir stellen die daraus ermittelten Strukturmodelle für die (2x1) und c(2x2) rekonstruierten ZnSe(001) Oberflächen vor, diskutieren die im SXPS auftretenden Rumpfniveauverschiebungen des Zn 3d und Se 3d Niveaus und vergleichen diese mit der Literatur. (Förderung durch den SFB 410 Projekt B1)
[1] W. Chen und A. Kahn, Phys. Rev. B 49, 10790 (1994).
[2] A. Ohtake, T. Hanada, et al., Phys. Rev. B 60, 8326 (1999).