Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)
O 19.2: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 11:30–11:45, H45
Untersuchungen zur Terminierung von ZnSe(001)- und CdTe(001)-Oberflächen mittels Streuung langsamer Ionen — •M. Erhard1, L. Weinhardt1, Th. Gleim1, W. Weigand1, T. Schallenberg2, W. Faschinger2, C. Kumpf1, C. Heske1 und E. Umbach1 — 1Experimentelle Physik II, und — 2Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
Die II-VI-Verbindungshalbleiter ZnSe und CdTe sind wichtige Bestandteile optoelektronischer Bauteile, besonders von Laserdioden und Spininjektionssystemen. Die Kenntnis der Terminierung der polaren (001)-Oberfläche in Abhängigkeit von der Rekonstruktion ist wichtig für das Wachstum und die physikalischen Eigenschaften an den Grenzflächen von Heteroschichtsystemen aus diesen Materialien.
Um zu dieser Frage eindeutige Antworten zu finden, haben wir die Terminierung mit der extrem oberflächenempfindlichen Streuung niederenergetischer Edelgasionen (He- bzw. Ar-Ionen bis 5 keV) untersucht. Während bei CdTe(001) eine Übereinstimmung zwischen dem etablierten Strukturmodell und Photoemissionsuntersuchungen gefunden wird, ergeben sich im Falle der c(2x2)-rekonstruierten ZnSe(001)-Oberfläche aus den vorhergesagten Modellen, sowie aus Beugungs- und Photoemissionsexperimenten unterschiedliche Terminierungen. Diese Diskrepanzen werden im Licht neuester Resultate aus Ionenstreuexperimenten diskutiert und mit Ergebnissen aus Photoemissionsuntersuchungen verglichen (gefördert durch die DFG über den SFB 410, TP B3).