Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)
O 19.5: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 12:15–12:30, H45
Strukturelle Untersuchungen von ultradünnen Si3N4-Filmen — •Torben Clausen1, Thomas Schmidt1, Subhashis Gangopadhyay1, Jens Falta1, Jan-Ingo Flege2, Stefan Heun3, Siegrid Bernstorff3, Pavo Dubcek3, Luca Gregoratti3, Alexei Barinov3, Burkhard Kaulich3 und Maya Kiskinova3 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Postfach 330440, 28334 Bremen, Germany — 2HASYLAB am DESY, Notkestraße 85, 22603 Hamburg, Germany — 3Elettra Synchrotron Light Source, Strada Statale 14, 34012 Basovizza, Trieste, Italy
Im Rahmen zweier Meßzeiten an der Elettra Synchrotron Light Source (Trieste, Italien) sind SiNx-Schichten auf Si(111) mit Hilfe einer ECR-Plasmaquelle hergestellt und mittels Röntgenreflektometrie (XRR) und ESCA-Mikroskopie (electron spectroscopy for chemical analysis) untersucht worden. Von solchen Strukturen wird u.a. erhofft, daß sie bei dem Versuch, optoelektronische GaN-Strukturen auf Si-Substraten aufzuwachsen, als Zwischenschichten dienen könnten.
Die verwendeten Untersuchungsmethoden gestatten Aussagen über Schichtdicke, Rauhigkeit und lokale chemische Zusammensetzung der SiNx-Schichten. Die XRR Messungen lassen darauf schließen, daß die Sättigungsschichtdicke für mit der ECR-Plasmaquelle erzeugte SiNx-Filme etwa 10 Å beträgt. Bei der ESCA-Mikroskopie konnten Aufladungseffekte beobachtet werden, die durch Schichtdickenfluktuationen im Sub-µm-Bereich erklärt werden können. Die Ergebnisse dieser Messungen sollen dargestellt und diskutiert werden.