Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)

O 19.6: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:30–12:45, H45

Optische Charakterisierung atomar rauher Halbleiteroberflächen im Bereich ihrer minimalen Reflektivität — •M. Lublow und H.-J. Lewerenz — Hahn-Meitner-Institut Berlin Abteilung Solare Energetik (SE5) Glienicker Str. 100 14109 Berlin

Das Ätzen natürlicher Oxide auf Si(111) hinterläßt bei geeigneter chemischer Behandlung nur geringe Oberflächenrauhigkeiten. Untersuchungen an solchen Oberflächen zeigen, daß die Reflektivität im Brewsterwinkel eine empfindliche Bestimmung dieser Rauhigkeiten ermöglicht. Es wird gezeigt, daß die Ursache dafür in der bis zu einigen Größenordnungen erhöhten Reflektivität im Brewsterwinkel liegt, sofern Abweichungen vom ideal glatten Zustand vorliegen.

Es werden Messungen an natürlichen Oxiden auf Si(111) vorgestellt, bei denen die Änderung der Reflektivität in Abhängigkeit von der Dauer des Ätzens in wäßriger 50%HF - bzw. 40%NH4F-Lösung bestimmt wird. Die Ergebnisse können anhand eines neuen Modells interpretiert werden, dessen Parameter aus den eigentlichen Meßbedingungen der Brewsterwinkelspektroskopie abgeleitet werden. Somit erübrigen sich beispielsweise Annahmen über zusätzliche virtuelle effektive Schichten. Durch den Vergleich ellipsometrischer und Brewsterwinkel-spektroskopischer Ergebnisse gelingen darüber hinaus Aussagen über den funktionalen Zusammenhang zwischen der Photonenenergie und der Empfindlichkeit der Spektroskopie gegenüber Oberflächenstörungen.