Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 23: Epitaxie und Wachstum (I)
O 23.9: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 18:15–18:30, H43
Von der Erosion zum Wachstum bei Ionenbeschuss auf Ir(111) — •Ansgar Petersen, Carsten Busse und Thomas Michely — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen
Die Energieabhängigkeit des Schadens durch Xe-Ionenbeschuss auf Ir(111)
wurde in einem Bereich zwischen 0,5 und 15 keV untersucht, des Weiteren
wurden Ausheilexperimente bei Temperaturen zwischen 350 und 1100 K
durchgeführt. Die Oberflächenmorphologie nach Beschuss wurde jeweils
mit dem Rastertunnelmikroskop analysiert.
Erstmals zeigen diese
Untersuchungen zur Energieabhängigkeit den Übergang von einem Bereich
der Erosion (Eion<2keV) hin zum beschussinduzierten Wachstum
(Eion≥2keV). Ein maximaler Wachstumseffekt wird bei 8 keV erreicht.
Ausheilexperimente nach 10 keV Ionenbeschuss machen deutlich, dass unter
der Oberfläche große, bis zu einer Temperatur von 1100 K stabile,
Leerstellencluster gebildet werden.
Die Ergebnisse lassen sich durch die
Ionenenergieabhängigkeit der Energiedichte und Energiedepositionstiefe im
Kristall erklären. Außerdem werden diese Ergebnisse mit denen
änlicher Experimente auf Al(111) und Pt(111) verglichen, die bisher
entweder nur beschussinduziertes Wachstum oder aber nur beschussinduzierte
Erosion zeigten.