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O: Oberflächenphysik

O 3: Elektronische Struktur (I)

O 3.5: Talk

Monday, March 11, 2002, 12:15–12:30, H36

Unbesetzte elektronische Zustände der c(2×2) rekonstruierten 3C-SiC Oberfläche — •Ralf Ostendorf, Michael Hagedorn, Carsten Benesch und Helmut Zacharias — Physikalisches Institut, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster

Mittels inverser Photoemission haben wir die unbesetzten elektronischen Zustände der c(2×2) Rekonstruktion an der 3C-SiC(001)-Oberfläche untersucht. Zwei elektronische Zustände konnten dabei eindeutig der Oberfläche zugeordnet werden. Winkelaufgelöste IPE-Messungen wurden jeweils entlang der Hochsymmetrieachsen der Oberflächenbrillouinzone in ΓS-Richtung und in ΓM-Richtung vorgenommen. Die dabei erhaltene Dispersion der Oberflächenzustände erlaubt einen Vergleich der experimentellen Ergebnisse mit theoretischen Berechnungen der Oberflächenbandstruktur. Insbesondere ist es durch die energetische Lage der Oberflächenzustände bezüglich der Volumenbandlücke im Vergleich mit den Rechnungen möglich, zwischen dem „staggered dimer“- und dem „bridging dimer“-Modell für die geometrische Struktur der Oberfläche zu unterscheiden.