Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 3: Elektronische Struktur (I)
O 3.6: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 12:30–12:45, H36
Photoemission an epitaktischen Al-Mg-Legierungsfilmen auf Si(111) — •Lucia Aballe1, Massimo Tallarida1, Celia Rogero1, Sudipto Roy Barman2, Ashwani Kumar1 und Karsten Horn1 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin — 2IUC-DAEF, Indore, Indien
Mittels Molekularstrahlepitaxie haben wir dünne epitaktische Al-Mg-Legierungsfilme mit verschiedenem Mischungsverhältnis auf Si(111) erzeugt und mit Valenzniveau-Photoemission untersucht. Mit dem Mischungsverhältnis lässt sich die Elektronendichte in in bzw. auf den Schichten in einer fast kontinuierlichen Weise variieren, und dadurch z.B. die Plasmonenenergie verändern. Die Erzeugung der Legierung führt im Vergleich zu den reinen Metallen zu charakteristischen Änderungen in der Valenzband-Photoemission. Die Photoelektronenausbeute wurde mittels "Constant-Initial-State"-Spektroskopie gemessen. Sie ist bestimmt durch die Wechselwirkung des Photonenfeldes mit den kollektiven Anregungen des Elektronengases, und zeigt im entsprechenden Energiebereich eine starke Änderung als Funktion der Elektronendichte.