Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 6: Silicidschichten
DS 6.2: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 11:15–11:30, GER/38
Chromsilicid/Silicium-Multilagen — •Daniel Decker1, Enrico Loos1, Gunter Beddies1, Hans-Jürgen Hinneberg1, Anna Mogalitenko1, Olga Filonenko1 und Joachim Schumann2 — 1TU Chemnitz, Institut für Physik, Reichenhainer Str. 70, D-09107 Chemnitz — 2Institut für Festkörper- und Werkstofforschung, Helmholtzstr. 20, D-01069 Dresden
Aufgrund seiner chemischen und thermischen Stablilität sowie thermoelektrischen Eigenschaften besitzt CrSi2 ein hohes Potential für thermoelektrische Anwendungen. Es hat sich gezeigt, daß besonders hohe thermoelektrische Effektivitäten (ZT) für Multilagenschichten errreicht werden, da hier eine zusätzliche Streuung der Phononen an Grenzflächen erfolgt. Durch alternierendes Zerstäuben von getrennten Si- und CrSi2± x-Targets wurden Silicid/Silicium-Multilagenstrukturen mit verschiedenen Zusammensetzungen der Silicidschichten abgeschieden. Als Substrate wurden 3" Si(001)-Scheiben mit 1 µm thermischen Oxid verwendet. Das Transportverhalten wurde anhand des spezifischen Widerstandes und des Hall-Koeffizienten bei Raumtemperatur und im Temperaturbereich T=4,2… 300 K bestimmt. Zur Charakterisierung von Struktur und Morphologie der Multilagen wurden TEM-, REM- sowie XRD-Untersuchungen durchgeführt. Eine Temperung (RTA) der nach der Abscheidung amorphen Schichtstapel im Bereich 450≤ T≤ 700∘C führt zur Zunahme des spezifischen Widerstandes und des Hall-Koeffizienten mit zunehmender Tempertemperatur. Da das Silicid oberhalb 450∘C kristallin, das Silicium dagegen bis 800∘C amorph vorliegt, läßt dieses Verhalten auf Kornwachstum in den Silicidlagen schließen.