Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: SiC I
HL 11.2: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 15:30–15:45, BEY/154
Hallstreufaktor für Löcher in Aluminium-dotiertem 4H- und 6H-SiC — •Frank Schmid1, Michael Laube1, Gerhard Pensl1 und Günter Wagner2 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Institut für Kristallzüchtung, Berlin
Der Hallstreufaktor rH,h(T) für Löcher in SiC ist unbekannt. Mit der Annahme rH,h(T)=1 ergeben Hall Effekt Analysen Aluminium (Al)-Akzeptorkonzentrationen, die um den Faktor 2 bis 3 höher liegen, als die durch SIMS bestimmte chemische Al-Konzentration. Die Annahme rH,h(T)=1 kann daher nicht korrekt sein. Eine direkte Bestimmung von rH,h(T) durch Variation des B-Feldes ist nicht realisierbar, da aufgrund der kleinen Beweglichkeiten der Löcher viel zu hohe B-Felder erforderlich wären. Wir haben daher den Hallstreufaktor rH,h(T) für Löcher indirekt mit Hilfe der Neutralitätsgleichung und physikalischen Größen, die mittels C-V Messungen und SIMS bestimmt wurden, ermittelt. Ähnlich wie in Silizium ist rH,h für SiC eine Funktion der Temperatur und nimmt Werte zwischen 1.4 (bei 100K) und 0.5 (bei 800K) an. Der Hallstreufaktor rH,h(T) ist identisch für 4H- und 6H-SiC und ist in einem Bereich von [Al]≈1015cm−3 bis [Al]≈1018cm−3 nicht sensitiv auf die Akzeptorkonzentration. Nach Szmulowicz [1] ist die Abnahme von rH,h(T) auf die Wechselwirkung der Löcher mit optischen Phononen zurückzuführen.
[1] F. Szmulowicz, Phys. Rev. B Vol. 28 (1983), p. 5943.