Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.16: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Zweidimensionale n-Typ In-Plane-Gate JFETs, hergestellt durch Überkompensationsdotierung einer p-leitenden AlxGa1−xAs/InyGa1−yAs/GaAs Heterostruktur — •Andrea Seekamp, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum
Mit der vorgestellten Methode, zweidimensionale n-Typ In-Plane-Gate JFETs in einem p-leitenden Material herzustellen, wird die Realisierung einer komplementären IPG-Transistortechnik möglich.
Als Ausgangsmaterial dient eine III-V-Halbleiterheterostruktur mit einem zweidimensionalen Löchergas. Durch Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen (FIB) wird die Heterostruktur lokal überkompensierend Si-dotiert, so dass ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) entsteht. Aufgrund der verwendeten FIB-Technik sind 2DEG-Bereiche beliebiger Geometrie erzeugbar. Zur Realisierung von n-Typ Transistoren wird Kanal, Source- und Draingebiet implantiert. Bei einem Länge-Breite Verhältnis des Kanals von 25 fließen Kanalströme von 90µ A bei nur 50nA Leckstrom. Die maximalen Steilheiten bei diesen Transistoren liegen bei gm=85µ S.
Der Vorteil dieser Herstellungsweise liegt in der vereinfachten Transistorgeometrie und in den reproduzierbaren, sehr guten Isolationseigenschaften durch den erzeugten pn-Übergang.