Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.20: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

MOCVD-Wachstum von ZnO mit tert-Butanol als O-Precursor — •N. Oleynik, A. Dadgar, M. Adam, D. Forster, F. Bertram, J. Bläsing, A. Krtschil, A. Diez, J. Christen und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, D-39016 Magdeburg

ZnO ist ein vielversprechendes Material für die Herstellung von UV-LEDs und Lasern. Wir stellen ZnO Schichten vor die mittels MOCVD auf GaN/Si(111) Templates gewachsen wurden. Als O- und Zn-Precursoren wurden hierfür tert-butanol und DMZn eingesetzt. Um die optimalen Wachstumsparameter zu finden wurde die Temperatur im Bereich von 325 bis 500 ⁰C variiert. Es ist dabei eine deutliche Änderung der Mikrostruktur und eine unterschiedlich hohe Anzahl von hexagonalen Löchern zu erkennen. In XRD Untersuchungen sind Halbwertsbreiten des ZnO(0002) Reflexes von 730" bis 1640" zu beobachten. Weitere Ergebnisse von SEM, Nomarski Mikroskopie, AFM-EFM und Kathodolumineszenz Messungen werden vorgestellt.