Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.83: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Untersuchung der submikroskopischen elektrischen Eigenschaften von GaN-Schichten und Korrelation mit makroskopischen Transportparametern — •Andre Krtschil, Hartmut Witte, Kevin Flügge, Armin Dadgar und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg

Eine Serie von GaN-Proben wurde mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphirsubstrat gewachsen, wobei systematisch die Keimschicht zwischen dem Substrat und der GaN-Schicht variiert wurde. Die so entstandenen Schichten waren alle nominell undotiert, wiesen aber deutliche Unterschiede in der Topographie und den temperaturabhängigen Hall-Effekt-Messungen auf. Mittels Rasteroberflächenpotentialmikroskopie wurden die lokalen elektrischen Eigenschaften (Potentialfluktuationen, lokalisierte Ladungen und Ladungsträgergradienten) mit einer lateralen Auflösung im Submikrometerbereich untersucht. Es zeigte sich ein deutlicher Zusammenhang zwischen dem Beweglichkeitsmaximum und den lateral verteilten Schwankungen des Oberflächenpotentials, der vermutlich durch zusätzliche Streuprozesse an den als interne Barrieren wirkenden Potentialfluktuationen hervorgerufen wird. Mögliche physikalische Gründe für diese Potentialfluktuationen werden ebenso wie weitere Zusammenhänge zwischen den einzelnen strukturellen, elektrischen und Transporteigenschaften diskutiert.