Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.84: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Charakterisierung von InGaN/GaN-Quantumwellstrukturen auf Silizium-Substrat — •K. Fehse, M. Poschenrieder, F. Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, A. Diez, J. Christen und A. Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg
Elektro-, Photolumineszenzmessungen und I-V-Messungen wurden an 5-fach InGaN/GaN Multiquantumwell(MQW)-LED-Strukturen durchgeführt. Die Variation der MQW-Wachstumstemperatur TQW von 7200C bis 8000C ergab für die QWs In-Konzentrationen im Bereich von 12-21% bei einer QW-Dicke von ca. 2nm, und EL- bzw. PL-Emissionen im Bereich von 438 bis 560nm. Für abnehmende TQW zeigte sich eine stärkere Abnahme der EL (ca. 4 Größenordnungen) im Vergleich zu den PL-Intensitäten (ca. Faktor 5). Aufgrund der deutlich zunehmenden Streuung der I-V-Kennlinien, sowie abnehmender struktureller Qualität (XRD-Messungen) zu niedrigen TQW hin wird auf eine Verminderung der Barriereneffizienz der AlGaN-Elektronenbarriere geschlossen.