Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.85: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Mikro-Photolumineszenz (µPL)–Untersuchungen an ELOG-GaN Schichten — •Nikolaus Gmeinwieser¹, Ulrich T. Schwarz¹, Werner Wegscheider¹, Stefan Bader², Andreas Weimar², Volker Kümmler², Georg Brüderl², Alfred Lell² und Volker Härle² — ¹NWF II – Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany

Zur Verringerung der Defektdichte von epitaktischen GaN-Schichten auf Silizimkarbid (SiC) für die Prozessierung von Laser–Dioden werden ELOG (Epitactical Lateral OverGrowth)–GaN Schichten untersucht. Mit einem konfokalen Mikroskopes werden ortsaufgelöste µPL–Spektren dieser Strukturen gewonnen und daraus lokale Materialverspannungen abgeleitet. Wir beobachten im Übergangsbereich zwischen Fenster und Flügel der ELOG–Strukturen hohe tensile Verspannugen sowohl gegenüber dem Fenster wie gegenüber dem Flügel. Diese Beobachtung korreliert mit TEM–Aufnahmen, die längs der ELOG-Streifen laufende Versetzungslinien zeigen und können mit einem starken Tilt der Flügel von ELOG-GaN auf SiC erlärt werden. Da sich bei Messungen an undotierten, wie an siliziumdotierten Proben die Ergebnisse decken, kann ein starker Einfluss der n-Dotierung auf die Verspannungen der Übergangsbereiche ausgeschlossen werden. Eine Linie bei ca. 3,4 eV ist ausschliesslich in den Übergangsbereichen zu beobachten. Diese Linie wird in der Literatur mit Gitter-Defekten in Verbindung gebracht. Zur Diskussion der verschiedenen Erklärungsansätze vergleichen wir dotierte Si:GaN und undotierte GaN–ELOG–Strukturen.