Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.4: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 11:15–11:30, BEY/118

Typ I nach Typ II Übergang in (Ga,In)(N,As)/Ga(N,As) Quantenschichten — •H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, J. Koch, S. Nau und W. Stolz — FB Physik und WZMW, Philipps Universität Marburg

(Ga,In)(N,As) wird in der aktiven Region von Lasern für Anwendungen in der Telekommunikation in den Wellenlängenbereichen 1.3 µm und 1.55 µm eingesetzt. Der Einbau von Stickstoff in GaAs oder (Ga,In)As führt zu einer starken Rotverschiebung der Bandlücke. Diese Rotverschiebung kann qualitativ durch die Abstoßung zwischen einem stark lokalisierten Stickstoffzustand oberhalb der Leitungsbandkante und der Leitungsbandkante des Wirtskristalls selbst beschrieben werden. Ein Weg, um Laser aus diesem Materialsystem effizienter zu machen, besteht darin, die Höhe der Barriere gezielt zu verändern, um den Elektroneneinfang zu verbessern. Da der Einbau von Stickstoff fast ausschließlich die Leitungsbandkante beeinflusst, kann durch die Variation des Stickstoffgehaltes in der Barriere von (Ga,In)(N,As)/Ga(N,As) Quantenschichten die Leitungsbanddiskontinuität geändert werden. Es wurde mit photomodulierter Reflexion bei Raumtemperatur und hydrostatischen Drücken bis 20 kbar gezeigt, dass mit zunehmendem Stickstoffgehaltes in der Barriere das Confinement für die Elektronen im Leitungsband verringert wird und sogar ein Typumschlag stattfindet.