Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.5: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 11:30–11:45, BEY/118

In-situ RAS bei der p-Dotierung von MOCVD gewachsenem GaSb(100) — •Zadig Kollonitsch¹, Kristof Möller¹, Christoph Giesen², Michael Heuken², Frank Willig¹ und Thomas Hannappel¹ — ¹Hahn-Meitner-Institut, SE4, Glienicker Straße 100, D-14109 > Berlin — ²AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen

> Reflexions Anisotropie/Differenz Spektroskopie (RAS/RDS) kann zur > Beobachtung von Wachstumsmechanismen und der Oberflächenpräparation von > Halbleitern in der MOCVD-Atmosphäre eingesetzt werden. Bei vielen III-V > Halbleitern wird die optische Anisotropie hauptsächlich durch die > Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Zusätzliche Strukturen im > RA-Spektrum können durch eine Raumladungszone hervorgerufen werden. > Raumladungszonen entstehen vor allem an Heterokontakten oder an > Oberflächen von dotierten Halbleitern. In GaSb(100) RA-Spektren ergeben > sich bei Dotierung Peaks an den E₁ und E₁+Δ₁ Interband > Übergängen, die mit zunehmender Dotierung stärker werden. Hall- und > SIMS-Messungen werden mit den in-situ RA-Spektren korreliert. Eine > quantitative Auswertung der RAS-Peaks zeigt für beide Dotanden einen > linearen Zusammenhang mit der Ladungsträgerkonzentration. Die Schichten > wurden in einer AIX200 MOCVD-Anlage abgeschieden. Zur p-Dotierung mit den > Gruppe IV Elementen C und Si wurden die alternativen Quellen > Tetrabromkohlenstoff (CBr₄) und Ditertiärbutylsilizium (DTBSi) > eingesetzt. >