Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Halbleiterlaser I

HL 3.10: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 12:45–13:00, BEY/81

Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern — •Nils Gerhardt und Martin Hofmann — AG Werkstoffe der Mikroelektronik, Ruhr-Universität Bochum, Geb. IC2/156, D-44780 Bochum

Im Rahmen dieses Vortrag werden unterschiedliche Methoden zur Messungen der Verstärkung am Beispiel eines (GaIn)(NAs)-RWG Lasers diskutiert und verglichen.

(GaIn)(NAs)/GaAs ist ein vielversprechendes Materialsystem für oberflächenemittierende Halbleiterlaser (VCSEL), die im für die optische Glasfaserübertragung wichtigen 1.3µm Wellenlängenbereich emittieren. Die optische Verstärkung dieses metastabilen Materialsystems wurde mit etablierten Methoden wie der Transmissions- und der Hakki-Paoli-Methode sowie mittels eines neuartigen Verfahrens gemessen. Der Vergleich zeigt eine hervorragende Übereinstimmung der Messungen untereinander und mit theoretischen Berechnungen auf Basis eines mikroskopischen Vielteilchenmodells [1]. Der Vortrag endet mit einer Analyse verschiedener Methoden zur Bestimmung des Linienverbreiterungsfaktors α, welcher für die Dynamik der Halbleiterlaser im Hinblick auf Telekommunikationsanwendungen von großer Bedeutung ist.

[1] M.R. Hofmann et al., IEEE J. Quantum Electron. 38, 213 (2002)